记忆体市场正出现一项出人意料的变化。瑞银（UBS）最新研究指出，对美光科技(MU-US) 等记忆体业者而言，随着产能持续受到挤压，通用DRAM的获利能力反而可能优于高频宽记忆体（HBM），且两者的毛利率差距未来几年可能进一步扩大。

根据瑞银数据，美光通用DRAM毛利率2025年约为44%，之后逐步升至50%，进入2026年初更大幅攀升至80%。

在资料中心需求仍未达饱和的情况下，瑞银预估通用DRAM毛利率2027年可能进一步升至95%，2028年大部分时间则维持在约93%。

相较之下，HBM虽然同样维持毛利率上升趋势，但增幅相对有限。瑞银估计，美光HBM毛利率2025年约落在56%至63%，2026年升至63%至70%，2027年则预估达75%至78%。

换言之，到了2027年，通用DRAM与HBM的毛利率差距可能扩大至17至20个百分点。

瑞银认为，两种产品获利能力出现反差，关键在于HBM的制造难度明显高于传统DRAM。HBM必须将多个DRAM裸晶进行垂直堆叠，不仅制造流程更复杂，也容易面临良率与成本问题，同时会消耗更多DRAM产能。

随着记忆体业者将更多晶圆投入HBM生产，可分配给通用DRAM的产能也会同步减少。在需求持续存在的情况下，供给受到压缩，反而可能进一步推升通用DRAM价格与毛利率，使其成为产能重新配置下的意外受益者。

从出货量来看，美光HBM业务仍持续扩张。瑞银预估，美光HBM季度出货量将由2025年初的0.1 EB，逐步增加至2027年底的0.43 EB。

不过，尽管出货量明显成长，HBM毛利率仍低于通用DRAM，显示HBM的单位获利能力未必优于传统DRAM。

分析称，这也让美光面临产能配置上的两难。面对SK海力士(000660KS) 与三星电子(005930KS) 在HBM4市场的竞争，美光仍需维持HBM布局，但若持续将更多产能转向HBM，势必进一步压缩通用DRAM供给，进而推升后者的价格与获利。

换句话说，美光在 HBM 上每投入一分产能，反而可能让通用 DRAM 的利润再涨一截。

因此，美光需要在HBM扩产与通用DRAM高毛利之间寻找平衡，既维持HBM出货规模，也避免牺牲目前通用DRAM带来的高额利润。

不过，这波高毛利环境并非没有期限。另一份报告指出，目前记忆体制造商手握约380亿美元预付款，其议价能力预计从2029年开始减弱，市场力量将逐步转向客户。

在此背景下，当前记忆体市场的高毛利窗口期可能仅剩2至3年。分析称，对美光而言，如何利用这段期间配置HBM产能，同时最大化通用DRAM的获利，将成为下一轮市场循环前的重要策略考验。