瑞士银行（UBS）日前发布最新产业研究报告，大幅上调 DRAM 合约价格预测。瑞银预计，2026 年第三季 DDR 合约均价将较上季劲扬 32%，第四季再上涨 18%，分别大幅优于先前预估的 17% 及 12%。

NAND 快闪记忆体方面，瑞银同步调升展望，预计第三季较上季上涨 30%（原估 17%），第四季较上季上涨 12%。

瑞银指出，DRAM 市场供需紧张态势预计至少延续至 2028 年上半年。据估算，2027 年晶片需求年增幅约达 36.2%，远高于供给端的 19.3% 成长，缺口难以填补，供需失衡程度堪称近 30 年罕见。

若不计下游库存回补效应，供应短缺比率将从 2026 年的 8.1%，进一步恶化至 2027 年的 13.6%。

综合上述判断，瑞银预期，价格上涨将推动记忆体产业 2026 年营收达 9,920 亿美元，2027 年更将攀升至 1.76 兆美元。

南韩媒体周五（3 日）率先披露，三星电子计划将第三季 DRAM 平均售价较上季调涨最高 20%。一家消费电子品牌厂商负责人亦证实，今年 6 月三星已主动洽谈，目前厂商已接获口头涨价通知。

该负责人表示：「上游零组件大幅涨价最终会传导至终端整机售价，对需求多少有所抑制，但考虑到消费电子产品现行售价整体不高，预期对消费者购买意愿影响有限。」另有业内资深人士也确认，三星已透过口头报价方式通知部分客户。

三大巨头同步扩产，抢攻 AI 晶片需求

面对供不应求的市场局面，记忆体三巨头纷纷加速布局产能扩张。

根据《彭博》报导，美光科技 (MU-US) 周六（4 日）于日本广岛举行西部厂区扩建奠基典礼，本次扩建投资规模达 1.5 兆日元（约 93 亿美元），聚焦量产高频宽记忆体（HBM）等高阶晶片，预计 2028 年夏季前后开始出货。

日本经济产业省已承诺补助最高 5,000 亿日元，分摊部分建厂成本。此外，美光亦在美国爱达荷州博伊西规划两座顶尖晶圆厂，并于今年 1 月在纽约州锡拉丘兹近郊举行千亿美元生产基地奠基仪式。

三星则宣布计划在南韩西南城市光州兴建两座记忆体晶片制造厂；SK 海力士也规划于全罗道周边地区建设两座晶圆厂。

两家公司合计投资规模高达 800 兆韩元（约 5,223 亿美元），作为南韩政府「三大超级工程」倡议的核心项目。该倡议以半导体、实体 AI 及 AI 资料中心为驱动，总投资规模达 4,755 兆韩元。

根据《韩联社》报导，南韩总统李在明预计下周主持召开战略审查会议，亲自督导西南地区超大型半导体生产基地的进展。

另据外媒报导，SK 海力士计划 7 月 6 日启动美国存托凭证（ADR）簿册建置作业，7 月 9 日确定最终发行价，并于次日在那斯达克挂牌上市，目标筹资规模最多达 294 亿美元，发行股数预计不超过现有流通股的 2.5%。