在日前登场的 2026 年 IEEE/JSAP VLSI 技术与电路研讨会上，来自南韩与日本的研究团队不约而同发表了两套全新的高频宽记忆体（HBM）架构构想，虽出自不同单位、命名各异，核心思路却高度雷同，将原本平躺堆叠的 DRAM 晶片改为「直立摆放」，借此换取更充裕的散热空间，同时缓解 AI 晶片日益吃紧的记忆体频宽瓶颈。

由南韩蔚山国家科学技术研究院（UNIST）领军提出的「V-Die」架构，将订制 DRAM 晶片旋转 90 度、以直立方式排列，透过矽穿孔（TSV）技术释放出原本被占用的晶片面积，借此容纳更多记忆体单元。

每颗晶片底部各自配置独立的输入输出（I/O）通道，晶片与晶片之间则预留了液冷散热通道，以因应堆叠密度提升后的散热压力。

根据团队公布的模拟测试数据，在相同容量条件下，V-Die 架构于执行 GPT-3 等级的 AI 负载时，可达到每秒 540 个 token 的处理速度，相较传统 HBM4 的每秒 296 个 token，效能几乎翻倍。

另一套由东京大学团队主导的「MOSAIC」架构，同样采取直立堆叠思路，但技术重点有所不同。

该方案采用正交式晶片堆叠，并搭配「无接触式」晶片间介面设计，资料传输不再仰赖实体接点，而是透过微型电感线圈进行耦合传输，单通道传输速率可达 4 Gbps。

研究团队指出，此架构若应用于 DRAM-on-GPU 的配置下，容量表现可达现行 HBM4 的两倍。

尽管技术路线各有侧重，V-Die 与 MOSAIC 所要解决的问题本质上一致：现行 AI 加速器的运算能力虽持续提升，但大型语言模型在运作过程中需频繁于记忆体与运算单元间搬运庞大资料量，记忆体频宽与延迟已成为制约整体效能的关键瓶颈。

HBM 技术原本便是透过将 DRAM 垂直堆叠、贴近处理器封装来缓解此一矛盾，例如辉达 (NVDA-US) Blackwell Ultra B300 即配置了 288GB 的 HBM3E 记忆体。

然而，堆叠层数愈高，散热难度也随之攀升。V-Die 与 MOSAIC 本质上都是以「侧向摆放」的空间配置，换取更充裕的散热余裕，并在此基础上同步拉高了频宽与容量表现。

值得留意的是，上述两项技术目前仍停留在学术论文与模拟验证阶段，距离实际量产仍有相当距离，短期内尚无法落地商用化生产。

业界人士指出，尖端记忆体创新技术的实用化通常仍需历经数年的制程验证与良率爬坡，短期内记忆体产业的实质突破，仍将更多仰赖既有成熟制程的规模化落地与产能扩张。

中国储存巨头长鑫科技敲定申购时程 将登陆科创板

与此同时，中国 DRAM 记忆体产业也传出资本市场最新进展。根据上海证券交易所披露的完整发行公告，长鑫科技已正式敲定申购时间表，网上、网下申购统一安排于 7 月 16 日进行，公司即将登陆科创板。

公告显示，长鑫科技证券代码为 688825，普通投资者网上申购代码则为 787825。本次发行总量达 66.88 亿股，占发行后总股本约一成，同时授予保荐机构最高 15% 的超额配售选择权，若全额行使，总发行量可望达到 76.91 亿股, 整体募资规模约 295 亿元人民币。

募集资金将全数投向 12 吋晶圆产线扩建、HBM 高阶记忆体晶片研发，以及相关配套产能建设。

本次发行采取战略配售、网下询价与网上打新相结合的模式，其中半数新股将优先向战略投资者定向配售，剩余份额则拆分予机构与散户投资者参与认购。

时程安排上，7 月 13 日开启网下初步询价, 7 月 15 日正式披露最终发行价格，7 月 16 日全天开放网上申购通道，参与申购须持有沪市 A 股对应市值。

长鑫科技于 2016 年在合肥成立，是目前中国唯一实现 DRAM 晶片自主研发与制造一体化的 IDM 厂商。

其全资子公司长鑫存储已完成 DDR4、DDR5、LPDDR5 全系列记忆体颗粒的量产, 产品线覆盖伺服器、个人电脑、智慧型手机及智慧汽车运算等应用领域，打破了三星电子、SK 海力士与美光长期垄断全球 DRAM 市场的格局。

目前，长鑫科技旗下三座 12 英寸晶圆厂持续释放产能，并已深度供货小米、联想以及中国主要云端服务商等客户。

市场人士分析，此次上市募资完成后，预期将加速长鑫在高阶算力存储 HBM 产品的研发与落地进度，进一步缩小与海外记忆体大厂之间的技术代差。