随着市场忧心记忆体晶片业者近来积极扩充产能，恐在未来造成供过于求，进而冲击价格表现，记忆体股近期走势疲软。不过，多位分析师受访时指出，现阶段真正的隐忧并非产能过剩，而是供给仍旧吃紧。

根据《Seeking Alpha》报导，该报旗下分析师 Bohdan Kucheriavyi 表示，以目前情势来看，产业面临的问题恰恰相反。

SK 海力士 (SKHY-US) 执行长近期公开示警，2027 年恐将是记忆体产业史上供给最吃紧的一年；美光科技 (MU-US) 管理层在最近一次财报电话会议中也提出类似看法，直言目前几乎所有产品类别的需求，都超过了公司到 2028 年的供应能力。

美光预估单季营收将冲上 500 亿美元，Sandisk (SNDK-US) 更预期业绩单季几乎再翻倍成长，两者皆显示现有产能远远不足以应付市场需求。

为因应供给缺口，三星电子今年将把产能大幅扩充约五成；SK 海力士也计划将基础设施投资规模扩大数倍，并刚透过那斯达克挂牌筹得 265 亿美元资金。

此外，南韩晶片产业预计将斥资至少 8,800 亿美元，扩大晶片生产与资料中心建设。另一方面，美光也宣布，将于 2035 年前在美国投资超过 2,500 亿美元。

值得注意的是，大部分新增产能将于 2027 年开始投产，但若届时 AI 基础设施建设开始降温，而这些新晶圆厂又陆续投产，记忆体价格恐怕难以维持高档。

历史经验显示，记忆体产业一旦进入下行循环，跌势往往十分剧烈。

不过，这一轮与过去最大的不同，在于业者手握「照付不议」采购合约，以及客户支付的数十亿美元预付款。

这些机制为记忆体制造商提供了过去景气循环中所没有的保障。虽然这些合约有望缓和未来景气下滑的冲击，但或无法彻底消除产业循环。

投资研究公司 Pythia Research 指出，尽管记忆体制造商正积极扩充产能，但目前的投资规模仍落后于 AI 带动的强劲需求，预计 DRAM 与 NAND 至少到 2027 年仍将维持供不应求。

该公司也表示，高频宽记忆体（HBM）所需的晶圆产能远高于传统 DRAM，进一步压缩了供给，也延后了供给过剩风险浮现的时间。

然而，情势可能在 2028 年左右出现变化。随着新一波晶圆厂陆续投产，AI 基础设施支出可能开始放缓。

届时，DRAM 与 HBM 供需预料仍将维持相对吃紧，但 NAND 因扩产速度较快、竞争更加激烈，面临产能过剩的风险将更高。

分析师 Jaden Mealy 则指出，目前真正的问题其实是供给不足，但这主要是因为供应商维持了高度的产能纪律，因为包括 SK 海力士与三星等业者，都展现出相当罕见的克制，避免大举扩产，以维持获利能力，同时避免本轮景气高峰过后出现更剧烈的下行循环。

Mealy 认为，市场真正担忧的是未来的产能规模。各家业者公布的资本支出计划都相当庞大，而且普遍建立在 AI 需求将一路成长至 2027 至 2028 年的假设之上，但实际需求可能会有所放缓。

他指出，最终仍取决于市场如何看待 AI 需求的发展，而这也是目前没有人能够确定的事。若相信 AI 基础设施投资将持续维持高档，那么目前的产能仍然偏紧，这些投资也具有合理性；但如果市场认为 AI 投资已经过度扩张，那么记忆体厂商如今的扩产，确实可能让产业在 2027 至 2028 年迎来悬崖式反转。