美光科技 (MU-US) 正将 AI 驱动的记忆体需求热潮，转化为一场横跨五大洲的产能扩张行动。

受强劲业绩展望激励，美光股价周二（26 日）暴涨 19%，市值叩关 1 兆美元大关，并以历史收盘新高作收，创下今年来第 28 个历史峰值。

管理层同步预警，记忆体市场供给偏紧的局面将延续至 2026 年以后，并正加速推进全球建厂计划，大部分新产能预计从 2027 年起陆续投产，扩张版图一路延伸至 2030 年，涵盖 DRAM、HBM 及 NAND 多条产品线。

美国本土：爱达荷、纽约锚定先进制程，维吉尼亚扩产 DDR4

近期，美光在美国本土的扩产动作明显提速。5 月 22 日，美光宣布位于维吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂正式启动 1α（1-alpha）DRAM 量产，主要服务汽车、工业、网路、医疗及国防航太等长生命周期应用领域。

TrendForce 分析指出，马纳萨斯 Fab 6 的扩产主要反映美光内部产能重新分配，不代表其重新聚焦消费性电子 DDR4 供应，并预计月投片量预计在 2027 年第四季达到 2026 年第二季水准的 1.5 倍，1α制程的量产时间则预计在 2026 年底前后。

先进制程方面，核心布局集中于爱达荷州与纽约州。美光管理层在摩根大通科技年会上透露，爱达荷 Idaho 1 厂晶圆产出时间已从 2027 年下半年提前至年中；Idaho 2 厂则预计 2028 年底投产。

美光并表示，完成两座爱达荷晶圆厂后，将在美国本土引入先进 HBM 封装能力。纽约州厂区则已于今年 1 月提前举行奠基典礼，预计 2030 年开始投产。

日本广岛：斥资逾 96 亿美元，HBM 出货锁定 2028 年

据《日经》报导，美光计划投入约 1.5 兆日元（约 96 亿美元），在广岛县东广岛市现有厂区内建设次世代记忆体生产设施，HBM 晶片出货目标设定于 2028 年前后，建设工程预计今年 5 月启动。

尽管美光尚未正式确认，但日本当地媒体已记录到实质性进展，厂区西侧约 9.5 公顷土地的开发作业已于今年 3 月展开，现场施工标示显示工程将持续至 2028 年 2 月。

美光记忆体日本公司亦已于 3 月中旬在西条町新设办公室，容纳约 300 名员工，涵盖总务、行销等间接职能部门及工程团队。

新加坡与台湾：NAND 与 HBM 双线并进

新加坡正逐渐成为美光扩张 NAND 业务的重要基地。公司今年稍早已于当地举行新 NAND 晶圆厂动土仪式，预期最快将在 2028 年下半年开始投产。

此外，美光管理层在摩根大通年度会议中透露，新加坡 HBM 高频宽记忆体设施建设进度符合预期。该计划已于 2025 年初启动建设，目标是在 2027 年开始贡献产能，并与台湾现有 HBM 生产线形成协同效应。

至于台湾布局方面，美光在完成对力积电 (6770-TW) 铜锣晶圆厂的收购后，也持续扩大 DRAM 生产规模。

管理层指出，配套建设的双生晶圆厂预计今年夏季动工；现有铜锣 P5 厂预计于 2027 年下半年开始带来具规模的 DRAM 晶圆产出，而新厂则预计自 2028 会计年度起逐步贡献主要产品出货。

印度与马来西亚：后端封测巩固全球供应链

除了前段晶圆制造布局外，美光也正加速强化后段封装与测试产能，并将印度与马来西亚视为全球供应链中的重要据点。

据悉，美光位于印度萨纳德（Sanand）的新厂已于 2026 年 3 月正式启用，这也象征印度首座先进记忆体 ATMP（先进封装、测试、标记与封装）设施正式投入运作。

《Business Standard》先前曾指出，该厂全面投产后，产能最高可望占美光全球总产出的 10%，并同时支援本地与海外市场需求。

另一方面，在马来西亚布局方面，根据《The Sun》报导，美光早在 2010 年便于柔佛州麻坡设立当地营运据点，其后业务版图进一步延伸至槟城，并持续扩充新世代制造能力。

目前，美光马来西亚厂区主要负责 NAND、DRAM、SSD 与记忆体模组的封装及测试作业，相关产品广泛应用于 AI 资料中心、边缘运算设备等多元 AI 应用领域。