同欣电(6271-TW) 的 GaN（氮化镓）封装跟着资料中心供电架构一起改。800 伏降到 48 伏这一段用两颗 650 伏的 GaN 串起来做，两颗串联把 800 伏分掉，48 伏再降到 6 伏用 100 伏的 GaN，两个产品都还在客户认证。

资料中心的供电架构原本是 48 伏，新架构改成 800 伏直流。电压拉高，同样功率下的电流变小，铜导体可以细一点，转换过程的损耗也跟着下降。

同欣电在这两段降压里做的是功率元件的封装。800 伏那一端要耐高压，所以用两颗 GaN 串联；48 伏之后电压低、电流大，换成 100 伏的 GaN。

辉达 2027 年换架构

辉达（NVIDIA）宣布从 2027 年起为 1 MW 机柜推进 800 伏直流供电，供电链的每一段都得重新设计，功率半导体等于被重新选一次。

功率半导体的含量也跟着放大。安森美（onsemi）估计，下一代 1 MW 机柜的功率半导体含量由 5 万美元增加到 10 万美元。

SiC 从车用先出货

SiC（碳化矽）有一部分小量的车用产品已经出货。资料中心这一边，同欣电开发的是电网进来到 800 伏这一段要用的固态变压器模组，第一阶段先认证高压 SiC 的单颗封装，同时与客户开发功率模组。

固态变压器是用半导体开关取代传统变压器，把电网的交流电转成 800 伏直流，体积比传统变压器小。这一段还在开发，同欣电先从单颗封装的认证做起，模组要等客户的架构定下来。

GaN 的两个产品还在客户认证，出货的时间点取决于客户什么时候把供电架构换过来。

两条线都还没量产，资本支出也就还没跟上。同欣电 2025 年全年的资本支出约 14 亿元，资本支出占营收的比重 12.25 %，低于 2022 年的 23.69 %。

GaN 与 SiC 的营收占比现在还低。要等 2027 年客户的 800 伏架构开始量产，这些封装才会跟着放量。

如下图，根据优分析产业资料库，资本支出占营收的比重在 2022 年见高之后一路下移，2025 年回到一成二左右。

（资料来源：优分析产业资料库）

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