TrendForce 最新记忆体产业研究，2027 年记忆体需求维持由 AI 应用主导，DRAM 因 HBM 持续排挤产能、AI 伺服器需求强劲，CPU 所用的记忆体与 HBM 采购动能持续增加，维持供给紧张格局，价格走势偏强。NAND Flash 在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027 下半年供给将趋向宽松，价格恐面临修正压力。

DRAM 供给成长增速不及需求提升速度

TrendForce 表示，为因应 AI 基础建设扩张带来的中长期需求，各大 DRAM 原厂已提早启动产能扩充计划。短期内，供应商积极提高既有厂区产能，同时加速制程升级、降低产品转换频率，以支撑 2026 年整体位元供给扩张。

2027 年尽管有数家供应商规划新产能陆续投产，但受限于建厂时程、设备移机、原物料等前置作业约束，预计多数新厂投片放量落于 2027 下半年，考量生产周期，显著的产出贡献则于 2028 年发酵。

此外，由于 HBM 制造流程所需的晶圆投入远高于一般型 DRAM(conventional DRAM)，导致新增投片量无法等比例转换为有效位元产出。上述因素将限制 2027 年整体 DRAM 位元供给成长幅度，市场供应能力持续紧缩。

从需求面观察，受惠于北美云端服务供应商 (CSP) 持续提高资本支出，Intel、AMD 新世代 CPU 平台加速出货，以及 Agentic AI 逐步商业化，2027 年全球伺服器出货量年增幅度将较 2026 年的 17% 扩大。加上单机 HBM 搭载容量成长，以及 SOCAMM 等新规格导入，显著拉升单机记忆体容量，将有助 2027 年 DRAM 需求位元成长维持在高档。

反观智慧手机、笔电等消费型终端，因品牌厂转嫁零组件成本的效应加深，导致整机售价上调、冲击消费者换机意愿，预期 2027 年出货表现将维持衰退。

TrendForce 指出，2026 年 DRAM 供应与需求位元的差距 (sufficiency ratio) 落在 - 1% 至 - 2% 间，2027 年由于需求增速超越供给成长，供需缺口将进一步扩大。不过，2026 年主要 CSP 资本支出维持在历史高点，甚至部分业者的现金流出现负值。2027 年记忆体价格若仍处于高档，于整体 CSP 资本支出的占比将会上升。以上情况会否影响 2027 年 CSP 资本支出的规划、乃至于记忆体的购入，仍待观察。

NAND Flash 产能提高促供需结构反转

2026 年 NAND Flash 原厂主要透过制程升级增加位元供给，由于 AI 伺服器、高容量 enterprise SSD 需求旺盛，供应商持续提高 enterprise SSD 的供给比重，以避免消费端需求平淡可能造成的获利风险。2027 年随着各大厂加速转进至高层数产品，以及新厂产能逐步释放，预计位元供给的成长幅度将超越 2026 年，市场产出规模迎来显著扩张。

在需求面，由于伺服器部署需求稳健，CSP 与企业客户对高速、大容量 enterprise SSD 的采购力道强劲，以 QLC SSD 最甚，将成为支撑 2027 年 NAND Flash 位元需求增长的主力。消费性电子则因终端售价陆续上调，预估买气仍受压抑。

2027 年在产能陆续开出、消费性电子需求仍偏弱的情况下，市场供需将迎来结构性反转，TrendForce 日前已率先提出 2027 年 sufficiency ratio 将转为正值的看法，供需格局将转为宽松。然而，若 Agentic AI 的普及取得突破性进展，将能再度拉升高速 SSD 的需求，促使整体供需趋近平衡。