据《路透》与相关调查指出，位于深圳一座由中央科技委员会管理的保密设施内，首台全国产化的极紫外光曝光机 (EUV) 原型机已成功启动，并稳定产生 13.5 奈米波长的极紫外光。报导称，此进展意味着中国已在 EUV 技术链路上，从光源、光学系统到真空腔体实现初步贯通。

相较于全球龙头艾司摩尔 (ASML) 采用的 LPP(雷射激发电浆) 技术——即利用高功率雷射轰击锡滴，中国研发团队选择了 LDP(雷射诱导放电电浆)10 倍以上，具备系统体积更小、功耗更低等优势，有利于未来的规模化部署。

陆媒矽基 LIFE 报导称，这项被外界称为「北京曼哈顿计划」的发展，背后有着庞大的资源支撑。

• 投资规模：由国家科技部牵头，整合华为、哈工大、上海光机所、清华大学及中科院等机构，总投入金额估算达 370 亿欧元 (约 400 亿美元)。
• 专利技术：截至 2026 年 6 月，中国在 EUV 领域的专利申请量已累计超过 1200 件。
• 生产布署：华为东莞基地预计于 2026 年第三季启动 EUV 试验性生产。

据报导，目前全球 7 奈米以下先进制程晶片均需依赖 EUV 技术，而 ASML 单台 EUV 设备售价约 1.5 亿美元。根据数据显示，2026 年全球 EUV 相关市场规模约为 259.3 亿美元，目前台积电掌握全球约 56% 的 EUV 装机量。

尽管中国已跨越光源门槛，但后续仍面临极其严苛的挑战，包括反射率要求极高的钼 / 矽布拉格反射镜、光阻剂灵敏度，以及光罩检测等工程瓶颈。

然而，在 EUV 量产前，中国已透过浸润式深紫外光曝光机 (DUV) 配合自对准四重图形技术 (SAQP)5 奈米级晶片的规模化量产，为先进制程提供了备援路径。

报导称，若 LDP 技术路径最终证明能提供更高的功耗效率，将可能对现有以 ASML 为首的供应链范式产生冲击，并改变先进制程设备的市场稀缺红利。