美国银行近日发布最新记忆体产业周报，时间点恰逢记忆体相关个股出现大幅回档。报告针对市场三大疑虑逐一厘清，核心结论明确：当前流传的利空消息，绝大多数并不成立。

综合来看，美银认为此波记忆体股的回调，更多是市场情绪反应过度所致，产业基本面的上行趋势目前并未出现根本性的转变。

利空一：Meta 砍单传言？供应链实况说「没有」

市场近期盛传 MetaMETA-US) 有意削减记忆体订单，理由是该公司可能将闲置的 AI 伺服器对外出租，引发产能过剩疑虑。

然而，美银直接走访晶片厂商后，得出截然相反的结论。Meta 在 HBM、LPDDR5 及 eSSD 的长期订单仍持续增强，NAND 控制晶片 IC 厂商与基板材料供应商亦双双证实此一说法。

美银强调，Meta 开放数据中心作为云端服务，并不等同于产能过剩，且所采用的记忆体规格反而更为先进。

利空二：中国长鑫打入 iPhone 供应链？门槛难越

另一项令市场不安的传言，是中国 DRAM 厂商长鑫存储可能打入苹果 (AAPL-US) iPhone 供应链。

美银对此持保留态度，认为实际采购量不会太大，并点出三道硬门槛：

• 其一，美国对中半导体出口管制的政策壁垒；
• 其二，长鑫现有 DRAM 规格尚不符合苹果要求（包含 10Gbps 以上传输速率、1.1V 功耗标准及 ECC 错误纠正功能）；
• 其三，韩美三大 DRAM 厂商的智慧财产权护城河深厚，难以跨越。

美银判断，苹果更可能将长鑫作为谈判筹码，借此压低下半年或 2027 年的合约价格，而非大规模实质采购。

利空三：韩国八百兆投资计划不等于景气见顶

韩国政府宣布在西南部建置规模高达 800 兆韩元的记忆体晶圆厂产业聚落，部分市场人士将此解读为产业周期见顶的讯号。

对此，美银认为该聚落最快也要到 2033 年才能有实质产出，现阶段重心仍在龙仁与平泽厂区的扩建计划（2026 至 2035 年）。

加上 HBM、SOCAMM、eSSD 等企业级需求分散且强劲，从资本支出的角度来看，目前并未出现周期见顶的迹象。

企业管理层比投资人更乐观、硬数据支撑

美银本周赴日本进行实地调研，分别与投资人及 NAND 供应链业者会谈。

调研结果显示，投资人普遍聚焦于「何时见顶」的担忧，然而受访企业管理层的看法却明显更为乐观，第二季平均销售价格表现优于预期（尤其是 NAND），第三、四季仍在持续上涨，且业者预估 DRAM 与 NAND 最快可能在 2027 年出现供不应求的局面。

此外，长期采购协议（LTA）虽在增加，但主要以拉高出货量为主，整体资本支出与产能管控纪律仍维持得相当稳健。

基本面数据同样有力支撑上述乐观看法。韩国 6 月半导体出口金额达 448 亿美元，年增幅高达 199%，创下连续六个月三位数成长的纪录，更是 2025 年月均出口额（约 140 亿美元）的三倍以上。

市调机构 TrendForce 已将第三季 DRAM 平均销售价格季增预测，从原先的 3% 至 8% 大幅上修至 13% 至 18%。

与此同时，美国四大科技巨头 2026 年资本支出合计约达 7,000 亿美元，年增幅约 80%，预计 2027 至 2028 年将进一步逼近 1 兆美元大关。