近期市场一度担忧，记忆体厂第三季财报恐因均价（ASP）涨幅无法达到共识而「不如预期」，不过美银全球研究部科技产业分析团队最新出炉的通路调查结果，打脸了这股悲观情绪。报告指出，第三季 DRAM 均价季增幅度可望达到 21%，明显优于市场调查机构 TrendForce 所预估的一致水准。

美银团队透过最新的产业通路访查，归纳出五项关键观察，认为第三季 DRAM 价格会比市场预期涨更多。

首先，伺服器用 DRAM 的涨势超预期。在高速 LPDDR5 带动下，价格季增幅度落在 20% 至 30% 之间，高于市场原先预期的「20% 以内」水准。

其次，现货市场需求全面回温，不只主流的 DDR5，就连已属老旧规格的 DDR4 现货需求同样强劲，7 月价格持续走高。

第三，高阶市场出现产品结构升级，客户下单重心正从性价比较高的 HBM3E，转向单价更贵的 HBM4，进一步垫高整体均价。

第四，长期合约（LTA）的议价保护效果正在减弱。目前以长约模式销售的 DRAM 占整体销量比重已跌破五成，非长约比重反而攀升至 60% 到 70%；即便是受长约保障的订单，价格也普遍出现 5% 至 10% 的季增。

第五，部分终端原厂因库存吃紧而紧急追加订单，此举间接证实了标准型 DRAM 与 NAND 的季增幅度双双超过 20%。

美银估值 vs. 市场共识 三季转趋乐观

比较美银与 TrendForce 的预测可以发现分歧所在。

DRAM

TrendForce 预估，今年第三季传统 DRAM 平均售价将较前一季上涨 13% 至 18%，若将 HBM（高频宽记忆体）纳入计算，整体 DRAM 平均售价涨幅则为 8% 至 13%。

相较之下，美银对第三季看法更为乐观，预估全球 DRAM 平均售价将季增 21%，高于 TrendForce 的预测；第二季则估计上涨 45% 至 50%，略低于 TrendForce，第四季则预估仍可维持高个位数百分比的季增幅。

NAND

TrendForce 预估第三季平均售价将季增 10% 至 15%，第四季涨幅将放缓至 0% 至 5%；第二季价格则季增 55% 至 60%，但已较先前预测略为下修。

美银则预估，全球 NAND 平均售价第二季约季增 65%，高于 TrendForce 的估计；第三季可望再上涨 15%，第四季则大致持平。

现货市场：DRAM 连涨八周 价格站上历史异常高档

DRAM 现货价格已连续八周上扬，与二、三个月前市场普遍看衰「35 至 40 美元将是天花板」的悲观气氛完全反转。

过去部分品牌厂因不堪现货价格过高（当时采购成本约仅 5 美元）而一度减产 PC、平板与手机借此对抗涨势，如今态度已转为积极回补库存，为即将到来的 9 月及第四季销售旺季超前部署。

不过报告也提醒，现货交易量仅占全球供应的低个位数百分比，性质上更接近品牌厂的紧急追单，而非市场主流交易模式。

尽管如此，当前 DDR5 与 DDR4 现货走势，仍指向三季合约价季增约 20% 的方向。

NAND 现货同步出现价格修复讯号，本周 1Tb 晶圆报价周增 4%，被视为三季 NAND 均价有机会挑战突破 10% 涨幅的正面指标。

报告另外提到，日系记忆体厂二季均价表现弱于全球平均，但随着 7 月现货与合约价同步走扬，目前研判其三季财报不如预期仍为时过早。

主要现货价格一览（截至最新周度）

品项	单价（美元）	周增	季增	年增
16Gb DDR5	49.2	+3%	+28%	+712%
16Gb DDR4	80.1	+3%	+16%	+829%
8Gb DDR4	39.9	+6%	+21%	+685%
4Gb DDR4	12.9	+4%	+81%	+426%
1Tb NAND 晶圆	25.1	+4%	-3%	+397%
512Gb NAND 晶圆	19.2	-1%	-9%	+617%

AI 需求没有降温：台积电、ASML 法说释利多 间接带旺记忆体需求

台积电 (2330-TW) 第二季财报表现亮眼，营收达 400 亿美元，年增 34%，营业利益率 60%、毛利率 68%；法人说明会上，公司释出三季营收年增 46% 的乐观展望，全年营收增速估达约 40% 左右，2 奈米制程量产进度顺利。

资本支出方面，台积电将 2026 年全年资本开支上调至 600 亿至 640 亿美元，另加码 1000 亿美元投入美国厂区建设，双双创下历史新高纪录。

报告指出，台积电客户端的 AI 晶片厂商对更先进的 HBM、SOCAMM（小外形压缩记忆体模组）以及企业级 SSD 需求殷切，将持续为高阶记忆体需求添加动能。

半导体设备龙头艾司摩尔 (ASML-US) 同样缴出优于预期的成绩单，二季营收 93 亿欧元，年增 21%，主要受惠于存量设备维运业务的贡献；公司预告三季营收 115 亿欧元（年增 53%），四季则上看 144 亿欧元（年增 48%），二季毛利率 54%、营业利益率 37%，下半年目标分别上看 55% 以上与 40% 以上。

就区域结构观察，第二季系统销售额中南韩占 43%、台湾占 30%、中国占 14%、美国占 9%，中国因出口管制导致本土晶片厂资本支出缩手，订单动能明显转向台湾逻辑晶片厂商。

管理层对新一代 AI 晶片与高数值孔径 EUV（High NA EUV）前景维持乐观，先进逻辑制程扩产效应预期将间接挹注配套记忆体订单，值得留意的是，近三年艾司摩尔来自记忆体类设备的营收占比持续攀升，规模已逐渐逼近逻辑晶片设备。

产业链高频数据同步报喜

南韩半导体出口动能未见松动，7 月前十天出口额达 112 亿美元，较上月同期成长 1.3%，增速虽略为放绬但仍处历史高档，且已连续六个月维持三位数的年增率，年增幅达 193%。

台湾科技厂 6 月营收表现同样强劲，其中逻辑、晶圆代工与 ODM 厂商领涨季增排行，世界 (5347-TW) 、联发科 (2454-TW) 、广达 (2382-TW) 分别季增 41%、22%、24%。

若看年增表现，则以记忆体厂商弹性最大，南亚科 (2408-TW) 暴增 621%、创见 (2451-TW) 大增 382%、群联 (8299-TW) 成长 301% 居前，台积电则以年增 68% 表现稳健。

中国 IC 进口同样写下历史新高，6 月进口金额达 596 亿美元，年增 72%，进口数量年增仅 7%，显示单价垫高才是金额暴增的主因；细拆 5 月数据，记忆体晶片进口金额达 308 亿美元，占 IC 总进口比重高达 54%，年增 249%，同样刷新纪录。

中国智慧型手机市场则呈现品牌分化，5 月出货量 2680 万台、年增 19%，在 DRAM 缺货背景下仍见复苏，但能否延续尚待观察。

就第二季整体来看，出货量年减 4.3%，苹果 (AAPL-US) 与华为分别年增 19% 至 24%，其余主流品牌则普遍年减 10% 至 22%。

市占率方面，华为由 2025 年二季的 18% 跃升至 23%，苹果紧追在后，多数中国本土品牌市占则明显下滑。

价格全景：DRAM 站上数十年高点 涨势逻辑未见松动

以绝对价格水准来看, 目前 16Gb DDR5 现货约 49 美元、16Gb DDR4 约 80 美元, 远高于 2017 年上一轮景气循环高峰时约 10 美元的水准。

报告分析，核心驱动力来自记忆体厂商持续将产能向高毛利的 HBM 及伺服器 DRAM 倾斜，压缩了标准型 DRAM 的供给空间。

观察涨势节奏，2025 年 10 月至 2026 年 1 月为单月涨幅最猛烈的阶段，最高曾单月飙涨 60% 至 120%；2 月至 4 月涨势放缓并一度小幅回档；5 月至 7 月则重新反弹并再创历史新高。

报告特别点出一项特殊现象。DDR4 与 DDR5 合约价目前已基本持平、同落在 35 至 40 美元区间，原本 DDR5 应有的溢价已然消失，主因是 DDR4 供给收缩更为剧烈，出现结构性短缺。

伺服器记忆体部分，64GB DDR5 伺服器模组合约价约 1400 美元、DDR4 约 1100 美元，双双写下历史新高；今年 1 月与 4 月都曾出现单月暴涨 40% 至 60% 的行情，6 月则呈现 DDR5 重拾涨势、DDR4 持平的态势。

NAND 方面，512Gb 晶圆合约价约 26 美元，较 2025 年 2 月低点 2.5 美元已上涨约十倍之多。

涨势节奏上，2025 年四季至 2026 年一季为快速上涨期，单月涨幅达 40% 至 60%；2026 年二季以来转为高位震荡，6 月至 7 月现货价格虽小幅走弱，但仍处于绝对高档。

终端消费级 SSD 价格同步走高，较 2025 年底几乎翻倍，6 月 256GB、512GB、1TB 容量报价分别达 40 美元、73.1 美元与 218.7 美元。

展望后市，美银基准预测三季 DRAM 合约价季增 21%，第四季持续维持高个位数增长，现货供应吃紧态势下，夏季价格不排除持续走高。

NAND 则预估三季均价季增约 15%，四季大致持平，期间或有小幅回档压力，但报告强调不至于出现硬着陆，绝对价格水位仍远高于历史正常区间。

类股表现：记忆体今年来领涨科技股 近期估值出现修正

美银分析指出，从 2026 会计年度预估估值来看，记忆体厂商目前本益比普遍仍处于相对偏低水准，但获利能力相当突出。

其中，DRAM 厂商三星电子、美光科技 (MU-US) 与南亚科预估本益比分别约为 6.3 倍、12.4 倍及 7 倍。

NAND 厂商方面，铠侠预估本益比约 6.7 倍，群联更仅约 5.5 倍，同时预估股息殖利率高达 9.6%。

相较之下，半导体设备厂估值明显较高，艾司摩尔、应用材料 (AMAT-US) 及科林研发 (LRCX-US) 预估本益比分别约 37 倍、48 倍及 59 倍。

股价表现方面，今年以来记忆体族群领涨半导体产业，其中 NAND 概念股整体涨幅优于 DRAM，南亚科、三星、群联等个股皆有亮眼表现，而 SanDisk (SNDKV-US) 与铠侠今年以来股价更已飙涨逾 500%。

不过，美银指出，7 月上旬记忆体族群出现一波明显回档，主因市场开始担忧企业财报表现恐不如预期，但若从全年来看，多数个股仍维持可观涨幅。

美股科技股方面，美银表示，今年以来 CPU 晶片厂商如英特尔 (INTC-US) 与超微半导体 (AMD-US) 股价表现，反而优于辉达 (NVDA-US) 、苹果及高通 (QCOM-US) 等大型科技股；至于半导体设备族群，今年涨势则介于记忆体与大型科技股之间。