全球记忆体供应危机持续升温，AI 浪潮带动资料中心大举扩建，不仅推升高频宽记忆体 (HBM) 需求，也排挤传统 DRAM 与 NAND Flash 产能，使整体市场供需失衡情况进一步恶化。

根据外媒引述产业消息指出，三星电子、SK 海力士 (SK Hynix) 与美光 (Micron) 等主要记忆体供应商，已提前售罄 2027 年 DRAM 与 HBM 产能，市场普遍预期，供应紧张局面至少将持续至 2028 年。

报导指出，目前 AI 基础建设投资仍快速增加，大型云端服务供应商 (Hyperscaler) 及 AI 企业为确保未来供货，已提前与记忆体厂签订长期供货合约，甚至接受预付款模式锁定产能。由于主要供应商将有限产能优先分配给大型客户，中小型企业及消费性电子品牌未来取得记忆体的难度也将同步提高。

除了 DRAM 外，NAND Flash 市场供应同样趋于紧俏。市场消息指出，今年主要 NAND 供应商的产能也陆续被预订，其中三星、美光及 SanDisk 的年度产能已几乎售罄，铠侠 (Kioxia) 及 SK 海力士也预计在近期完成 2027 年供货合约，使整体记忆体市场持续维持供不应求。

AI 需求排挤传统市场 HBM 成为兵家必争之地

这波记忆体供应危机，核心原因并非消费性电子需求突然大幅成长，而是 AI 资料中心对高效能记忆体的需求持续攀升。

相较于一般 DRAM，HBM 采用多层晶片堆叠与矽穿孔 (TSV) 封装技术，可提供远高于传统 DRAM 的资料传输频宽，是 AI GPU 及 AI 加速器不可或缺的核心元件。由于 HBM 单位售价与获利能力远高于一般 DRAM，记忆体厂也持续将更多产能投入 HBM 产品，进一步压缩 PC、智慧手机及其他消费性电子产品可使用的 DRAM 供应。

市场人士指出，目前 AI 基础建设建置速度仍远快于新增产能速度，几乎所有新增产能都被大型云端业者优先吸收，也使一般市场持续面临供应不足与价格上涨压力。

新产能难快速到位 供需失衡短期难解

业界认为，供应紧张不易在短时间内改善，主因在于新晶圆厂建置需要相当长时间。

从兴建新厂、设备进驻到正式量产，通常需要数年时间，若在美国设厂，因法规与建厂流程更为复杂，所需时间可能更长。虽然三星、美光及 SK 海力士目前都已启动扩产计划，但新增产能短期内仍不足以追上 AI 带来的需求增速，因此市场普遍认为，至少未来两年记忆体供需仍将维持紧绷。

此外，由于大型 AI 企业愿意支付更高价格取得供货，供应商自然也更倾向将有限产能优先分配至高毛利产品，使传统消费性市场持续承受供货不足压力。

三大记忆体厂一致示警 2027 年恐成最吃紧一年

主要供应商近期对市场前景也抱持相当保守态度。

美光执行长 Sanjay Mehrotra 表示，即使公司持续扩充全球产能，目前仍无法预见供给何时能追上需求，AI 带来的需求仍持续快速增加，供需缺口短期内难以消除。

三星电子则认为，2028 年前市场新增供给恐怕都难有明显改善，今年尚未满足的需求还可能延续至明年，使供应持续维持紧张状态。

SK 海力士执行长郭鲁正 (Kwak Noh-jung) 更直言，2027 年可能成为整个记忆体产业供应最紧张的一年，且即使放眼 2030 年之后，市场需求仍可能持续高于供给能力。

消费电子成本持续增加 iPhone、PC 都面临压力

随着 AI 企业持续优先取得记忆体资源，智慧手机、PC 等消费性产品可取得的 DRAM 配额也可能逐年缩减。

市场预期，2027 年智慧手机与 PC 制造商采购记忆体的成本将进一步提高，终端产品价格也将面临更大压力。虽然大型品牌通常可透过长期采购合约降低部分冲击，但仍难完全避开整体市场价格上涨趋势。

苹果同样受到影响。虽然公司与供应商签有长期合作协议，可在一定程度上减缓成本波动，但随着整体记忆体价格持续攀升，市场普遍预期，今年秋季推出的新款 iPhone 仍可能因零组件成本增加而调整售价，未来若供应持续吃紧，价格压力也可能延续至 2027 年。

苹果评估更多供应来源 仍面临政策限制

为降低供应风险，市场也传出苹果正评估更多记忆体采购来源，包括中国记忆体厂长鑫存储 (CXMT)。

不过，CXMT 目前遭美国政府列入限制名单，美方认为其具有国安疑虑。若苹果采用相关产品，可能影响未来美国政府采购资格，因此即使 CXMT 具备一定供应能力，苹果仍须在供应链稳定与政策风险之间取得平衡。

科技股周三走势分歧，美光 (MU-US) 小涨 0.06%，收 893.19 美元，但 SanDisk (SNDK-US) 重挫 5.40%，收每股 1,350.50 美元，SK 海力士 ADR (SKHY-US) 下滑超 2% 至每股 151.03 美元。